技术编号：30604764
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体器件的制造方法，特别是一种图形化用抗反射涂层组合物及使用该抗反射涂层组合物的图形化方法。背景技术.在半导体制造工艺中，光刻(photolithography)是常用的一种图形化方法。然而光刻工艺会限制所形成的图形的最小节距(pitch)，随着集成电路向更小尺寸、更高密度方向的发展，对于光刻工艺也不断提出挑战，光刻机的发展从g-line(g线光刻)，nm i-line(i线光刻)，nm duv(深紫外光刻)，到nm arf准分子光刻和arf浸没式光刻，再到e...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。