技术编号:3061628
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及一种激光活化离子注入的杂质源形成太阳电池掺杂区或者选择性掺杂区的方法,该方法包括在太阳电池上形成N型掺杂(η++)区或者形成P型掺杂(ρ++)区,属于光伏掺杂。背景技术由于常规能源供给的有限性和环保压力的增加,目前世界上许多国家掀起了开发利用太阳能和可再生能源的热潮,太阳能利用技术得到了快速的发展,其中利用半导体的光生伏特效应将太阳能转变为电能的应用越来越广泛。而太阳电池就是其中最为普遍的被用来将太阳能转换为电能的器件。在实际应用中...
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