技术编号：30619479
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及三维芯片的制备方法。背景技术.现代半导体制造技术正朝着小型化、轻量化和集成化的方向发展，在满足这些需求方 面，传统的二维一体化方法已经显示出严重的局限性。三维集成电路(d-ic)采用硅通孔 (tsv)可以在不增加功耗的情况下提高性能。它可以满足高速计算、高密度存储、低功耗和 低封装外形的要求，但它面临着更严峻的散热问题。由于金刚石表现出优异的导热性、耐 高温性和耐腐蚀性，因此它能够有效地从半导体器件传递热量。如今，人们开发了一些金 刚石专用键合技术来代替传统的晶片衬底，如亲水键...
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