技术编号:30622859
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体器件技术领域,涉及碳化硅半导体器件及集成电路,具体为一种高压碳化硅功率场效应晶体管及高低压集成电路。背景技术.二十世纪九十年代以来,碳化硅(sic)技术飞速发展,同时促进了碳化硅材料所构成的半导体器件的发展;与普通的硅材料相比,碳化硅具有更大的禁带宽度,所以其拥有更高的击穿电场,同时碳化硅材料拥有较更高的热导率,因此适用于高温条件下,且其拥有较高的电流密度。尤其在场效应晶体管(fet)的开发与应用方面,与相同功率等级的硅基场效应晶体管(fet)相比,碳化硅fet有更小的导通...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。