技术编号:30831813
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种高比表面积mos@c双层中空球的制备及应用技术领域.本发明涉及纳米材料及环保材料领域,具体地,涉及一种高比表面积mos@c双层中空球的制备及应用。背景技术.随着当今世界经济的发展和人口的快速增长,环境问题和能源危机成为当前的热点。近年来随着城市化及工业化的进程,水污染造成的水资源短缺已经成为制约人类社会发展的最重要的一大难题。探索和发展新型的工业废水处理技术成为当前的研究热点。.基于半导体材料的光催化氧化技术应逐步应用于水中污染物的降解,如有机染料、抗生素、酚类化合物及重金属离子等...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。