技术编号:30953710
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及集成电路技术领域,具体为一种减少源漏极短路的方法及使用该方法制备的静态随机存储器。背景技术.随着半导体技术不断发展,集成电路单位面积内半导体器件密度不断增大,半导体器件物理尺寸不断缩小,但随之产生的相邻半导体之间产生短路的风险增加。例如,在集成电路中制备相邻分布的晶体管,受加工工艺限制,相邻晶体管源漏极之间极易因距离较近而产生桥连,桥连易导致相邻mos管的源漏极产生短路。目前常用的减少源漏极短路的方式是缩小mos管主动区(active area)尺寸以留出充足空间或改善外延生长工...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。