技术编号：31051831
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本说明书涉及等离子刻蚀技术领域，具体涉及一种具有屏蔽效果的介质管及等离子体反应腔。背景技术.在典型的等离子体刻蚀工艺中，不同的工艺气体组合(如cxfy、o,、ar等)在射频(radio frequency)环境中经过射频激励作用形成等离子体。形成的等离子体在刻蚀腔体上下电极电场作用下与晶圆表面发生物理轰击和化学反应，完成对晶圆表面设计图案和关键工艺的处理过程。典型的刻蚀腔体包括容性耦合腔体(ccp)和感性耦合腔体(icp)两种。.图为典型的感性耦合等离子体反应腔体结构，主要包括：....
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