技术编号：31051849
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及等离子体刻蚀技术领域，尤其涉及一种等离子体源系统及其使用方法。背景技术.目前，在典型的等离子体刻蚀工艺中，不同的工艺气体组合在射频环境中经过射频激励作用形成等离子体，形成的等离子体在刻蚀腔体上下电极电场作用下与晶圆表面发生物理轰击和化学反应，完成对晶圆表面设计图案和关键工艺的处理过程。通常情况下，由于腔体抽气路径的原因，或多或少地存在晶圆边缘等离子体密度较弱的情况，或可解释为由抽气作用引起等离子体活性反应基团浓度以及离子密度在晶圆上表面呈现出从中心到边缘逐渐降低的趋势，这种梯度趋...
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