技术编号:31053124
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种承载件和半导体工艺设备。背景技术.cvd延设备是一种利用cvd(chemical vapor deposition,化学气相沉积)技术在衬底表面生长薄膜的装置。例如:cvd外延工艺是控制反应气体流过被加热的衬底(通常情况下为晶圆),反应物在衬底表面发生化学反应形成一层薄膜。.在工艺过程中,晶圆的边沿会生长薄膜,而晶圆边沿的晶向沿晶圆的圆周方向会发生变化,且不同方向的晶面的生长速率存在差异。因此,晶圆边沿生长的薄膜厚度会存在差异,进而影响晶圆表面的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。