技术编号：31053450
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体器件领域，具体地，涉及氮化镓器件及其制备方法。背景技术.以氮化镓(gan)为代表的第三代半导体材料具有许多优良的特性，例如，宽禁带、耐高压、耐高温、电子饱和速度高、抗辐射等。不仅如此，氮化铝镓(algan)与gan可以形成异质结结构algan/gan，在该异质结结构的界面可以产生高浓度的二维电子气，可以制作导通电阻非常低的沟道结构。这些特性使得gan材料相比于si等第一代半导体材料具有更好的性能参数，例如，gan的baliga fom(巴利加优值，衡量材料大功率特性的优值因...
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