技术编号：31053472
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种芯片制备方法。背景技术.光电三极管的基极是通过接受正面光子，在基区产生一个注入电流，使得三级管导通，芯片工作，由于传统的发射区金属焊盘直接设置发射区上方，光从正面射入时，发射区金属焊盘会影响光接收面积；因此，发射区的电流扩展完全通过发射区注入形成的离子层进行导电，需要将离子层的掺杂浓度提高，发射区的注入剂量需要很大(一般来说需要大于e离子/平方厘米)，大剂量的注入需要大束流离子注入机，设备成本很高。.且将发射区的浓度提高后，芯片的耐压会降低...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。