技术编号:31053573
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体深硅刻蚀技术领域,尤其涉及一种用于降低刻蚀工艺掉片率的装置、方法和刻蚀装置。背景技术.在电感耦合深硅刻蚀系统中,通过机械手载片装置进行晶圆片的转移,采用静电吸盘(esc,electro static chuck)对转移进工艺腔的晶圆片进行固定,esc的基本原理是正负电荷之间相互吸引,通过不同种电荷之间的库仑力使晶圆片稳定在电极上。最常用的是双极型esc,电源正负极接在esc的两个电极上,晶圆片在内部被极化,与esc两个电极产生相反极性的电荷,异种电荷之间的库仑力使晶圆片固定...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。