技术编号:31053629
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种硅基gan hemt散热增强封装结构及其制备方法技术领域.本发明属于信息材料与功率器件封装领域,具体涉及一种硅基gan hemt散热增强封装结构及其制备方法。背景技术.gan hemt作为典型的第三代半导体功率器件,得益于gan材料所特有的宽带隙、高电子饱和漂移速率和高临界击穿电场等优异特性以及algan/gan异质结处高浓度、高迁移率的二维电子气(two dimension electron gas, deg),而具备高功率密度、高击穿电压、低导通电阻的优势,因此广泛应用于航空航天、...
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