技术编号:31053781
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体加工工艺技术领域,尤其涉及一种防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法。背景技术.如附图所示,一种电感耦合深硅刻蚀系统是采用bosch工艺原理,它是以cf作为钝化聚合物产生剂,sf作为刻蚀剂。在钝化过程中反应腔室里通入cf气体,等离子体离化后产生的聚合物沉积在待刻蚀硅片表面,该过程具有高度的各向同性,因此会在硅片的表面和结构深槽内都均匀地覆盖一层聚合物保护膜。在随后的刻蚀过程中反应腔室内气体转换成sf并离化具备反应活性,等离子体在顶端产生后受下电极影响离子发生定向移动,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。