技术编号:31053799
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包含igbt(insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极晶体管)和回流二极管的半导体模块。背景技术专利文献公开了包含igbt以及与该igbt反向并联连接的回流二极管的半导体模块。现有技术文献专利文献专利文献:国际公开第/a号发明内容发明要解决的课题专利文献没有公开提高半导体模块的反向浪涌耐受能力(反向浪涌耐量)的技术。在igbt的截止状态下对igbt的发射极/集电极间施加了反向浪涌电流的情况下,该反向浪涌电流绕过igbt,...
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