技术编号:31071238
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于微电子技术领域,特别涉及一种双向阻断器件,可用于电力电子系统。技术背景.在无线充电、航空航天、射频和医疗设备等应用场景中,经常需要器件具有能够双向耐压的特性,以维持高的功率转换效率及提升器件可靠性。得益于gan优越的材料特性,如高击穿场强、良好的热特性和高电子迁移率等,gan基增强型高电子迁移率晶体管在高功率和高频率应用领域中受到了研究者们的极大关注。然而传统的gan基增强型高电子迁移率晶体管往往只能实现单向阻断,即只能漏极电压高于源极电压,通过关断栅极来实现正向阻断,这严重限制...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。