技术编号:31084904
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。基于fin-fet栅结构hemt及其制作方法技术领域.本发明涉及微电子与固体电子学技术领域,尤其涉及一种基于fin-fet栅结构hemt及其制作方法。背景技术.iii族氮化物属于第三代半导体材料,具有禁带宽度大、电子饱和速度高、且耐高温、耐高压、抗辐射等优良特性,是制备电力电子器件的理想材料。gan基高电子迁移率晶体管(hemt)相较于基于si、gaas材料的电力电子器件在高温、高频、大功率领域具有更广阔的应用前景。异质结是gan基hemt器件的基本结构,由于gan材料独特的自发极化和压电极...
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