技术编号:31121082
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法。背景技术.垂直腔面发射半导体发光结构由于具有光束质量好、阈值电流低、易于二维列阵集成、制造成本低廉和批量化生产等优点,成为诸如d传感、激光雷达、夜视照明、健康医疗等一系列高光功率应用的重要光源。.现有的垂直腔面发射半导体发光结构由于其设计的特殊性,阵列光源之间的光束为非相干,光束相位分布不可控,因此导致垂直腔面发射半导体发光结构出射的光束线宽较宽,模式特性差,远场发散角大,亮度低,使其在某些特殊领域的应用受到...
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