技术编号：3119762
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。，属于电子元器件加工。其使用激光束照射在衬底背面形成背孔；在背面生长一层SiO2保护层，防止折射等杂散激光对衬底表面的影响，并方便去除打孔蒸发的GaAs残留在衬底背面表面；使用抽真空装置防止加工残留物在背孔表面影响平整度及后序镀金工艺；通过指示光结合显微镜和版图主动标定后，根据版图主动控制自动完成4至6英寸晶圆打孔，背孔会通过衬底、缓冲层等外延层使正面电路与背面接地面形成电气连接，并提供必要的散热条件。本发明加工速度快，可以加工出更小锥度、背面孔径更小的背...
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