技术编号:31338003
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及蚀刻液领域,尤其涉及ipccf领域,更具体地,涉及一种高铜离子负载的铜金属蚀刻液组合物及其应用。背景技术.现有刻蚀过程中,面板厂商为了缩短制程工艺,降低生产成本,采用道光罩工艺,其中s/d(源极/漏极)线与半导体a-si层采用一道mask(掩膜程序),那么该s/d线需经过两次蚀刻,这就导致s/d线会有很大的线宽损失,极易引发倒角。.现有技术中,申请公布号为cna的专利申请文件,公开了用于铜钼膜层的蚀刻剂与铜钼膜层的蚀刻方法,通过控制螯合剂和无机酸的比例...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。