技术编号:31402850
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及一种半导体装置及其制造方法,特别是涉及一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)及其制造方法。背景技术.动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)为一种挥发性存储器,包含由多个存储单元(memory cell)构成的阵列区(array area)以及由控制电路构成的周边区(peripheral area)。各存储单元包含一晶体管(transistor)电连接至一电容器(capaci...
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