技术编号:31412006
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及太阳能光伏技术领域,是一种基于晶体硅衬底的硅化合物异质结太阳电池。背景技术.基于高发电效率、新型、高可靠性、低成本等优势,晶硅太阳能电池一直占据光伏产品市场%以上份额。硅化合物异质结接触太阳电池(sch)因其具有带隙宽、免掺杂、非异质接处低、工艺温度低、优良的温度特性和光照稳定性且可以双面发电等优势,受到产业界和学术界研究者高度的研究兴趣。.太阳电池性能参数的评价有短路电流、开路电压和填充因子。然而,尽管目前化合物太阳电池光电转换效率.%,但是受化合物电池的结构的制约...
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