技术编号:31441215
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请主张基于年月日申请的日本专利申请第-号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。.本发明涉及离子注入装置及离子注入方法。背景技术.在半导体制造工序中,为了改变半导体的导电性的目的、改变半导体的晶体结构的目的等,标准地实施对半导体晶片注入离子的工序(也称为离子注入工序)。在离子注入工序中使用的装置被称为离子注入装置。根据注入于晶片的表面附近的离子的所期望的注入深度来决定离子的注入能量。注入到比较深的区域时,使用高能量(例如,mev以上)...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。