技术编号:31479085
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体工艺领域,尤其涉及一种下射频电源的电压控制方法及半导体工艺设备。背景技术.典型的icp(inductively coupled plasma,电感耦合等离子体)刻蚀机的结构如图所示,该icp刻蚀机包括:上射频电源、匹配器、电感耦合线圈、反应腔室、用于吸附晶片的静电卡盘、光谱仪、匹配器、下射频电源、射频电压传感器、介质窗;其中,射频电压传感器的输入端连接至静电卡盘,射频电压传感器的输出端连接至下射频电源的反馈控制口。.icp刻蚀机在工...
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