技术编号：31496895
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于电子化学品领域，涉及一种蚀刻液，具体为一种掺钪氮化铝蚀刻液及其应用。背景技术.掺钪氮化铝具有优异介电性、压电性的宽禁带半导体材料，是在半导体领域中重要的电子材料。.在用于除去掺钪氮化铝层的湿法蚀刻工艺中，会使用氢氧化钾水溶液。单独的氢氧化钾水溶液存在一些无法避免的缺点，例如：氮化铝掺钪后整体密度变高使蚀刻速率变慢，掺钪氮化铝层在某些晶面难以被单独的氢氧化钾水溶液蚀刻，并且在制备掺钪氮化铝过程中掺钪氮化铝层也会和衬底材料产生合金变的难以被蚀刻。目前，对于掺钪氮化铝刻过程中生成难以...
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