技术编号：31569358
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体装置。背景技术.在日本特开－号公报中公开了具有多个保护环的半导体装置。该半导体装置中，在半导体基板的外周区域设有多个保护环。并且，半导体基板的外周区域被保护膜覆盖。通常，对于保护膜使用氧化物膜。多个保护环与保护膜相接。多个保护环以从内周侧(距元件区域较近侧)朝向外周侧(距半导体基板的外周端面较近侧)相互之间设有间隔的状态被配置。在半导体装置截止的状态下，耗尽层向外周区域内的漂移区域扩展。在耗尽层向外周区域内的漂移区域扩展了的状态下，外周区域内的电场集中通...
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