技术编号：31607745
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。mos电容及其制造方法技术领域.本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及mos电容及其制造方法。背景技术.硅光器件中的mos电容结合了cmos器件结构、工艺和特性，是实现对传输光信号调制的重要组成部分。mos电容的调制能力与载流子浓度的变化有关，需要将电容值做大，来增强其电容调制能力。.现有技术中的mos电容一般采用掺杂的多晶硅作为栅电极，其电荷分布主要在多晶硅靠近栅介质和单晶硅靠近栅介质部分，为了提供大量的载流子，需要提高作为栅电极的多晶硅的掺杂浓度。然而为了激活掺杂的高温退火容易造成晶粒...
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