技术编号：31624058
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种低温离子注入方法及装置。背景技术.随着互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)工艺按摩尔定律而高速发展，cmos器件对超浅结的要求越来越高，低温注入技术随之而发展起来。传统低温离子注入时，由于工艺腔温度较低，硅片进入工艺腔之前，需要对硅片进行预降温，以提高工艺效果和产能，避免直接在工艺腔降温导致的效率降低。同时，完成工艺后，如果直接将硅片移出工艺腔和设备，由于其温度较低，接...
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