技术编号：31663140
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种功率半导体器件封装结构。背景技术.绝 缘 栅 双 极 型 功 率 管（igbt）是 由双极型三极管和金属氧化物半导体场效应 管（mosfet）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，兼有 mosfet 的高输入阻抗和晶体管的低导通压降两方面的优点。晶体管的饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet 的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt 综 合了以上两种器件的优点，驱动功率小，且饱和压降低，非常适合应用于直流电压为...
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