技术编号:31670976
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种存储器的制备方法。背景技术.随着微电子的发展,存储器需要提供更高的速度,更低的功耗和更高的集成度,对于传统的多晶硅浮栅存储器而言,多晶硅浮栅的厚度随着器件特征尺寸的减小而降低,当具有高能量的入射电子增多时,大量高能入射电子会穿过所述多晶硅浮栅对衬底造成损伤,产生更多的缺陷,影响器件的可靠性。为了克服这一问题,以金属代替多晶硅作为浮栅的方案被提出。但由于金属浮栅层所使用的金属材料在高温等条件下的稳定性较差,金属浮栅层容易在存储器的制备及使用过程中发生...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。