技术编号:31704835
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。μm。.进一步,所述后续生长制作工艺包括制作电极,所述电极和所述第一inp层之间增加绝缘材料。.进一步,所述第一inp层为本征inp ,非意向掺杂浓度小于;或者所述第一inp层为半绝缘inp ,掺杂元素为fe或ru,掺杂浓度大于。.本发明实施例提供另一种技术方案:一种脊波导半导体激光器,包括于衬底上依次生长的缓冲层和量子阱,于所述量子阱的一相对侧分别对接生长第一inp层,在所述量子阱和所述第一inp层上依次生长覆盖层和接触层,所述量子阱所在的区域具有脊波导,两所述第一inp层包...
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