技术编号：31725234
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体结构的制造方法、半导体结构、晶体管与存储器。背景技术.随着半导体技术的发展，存储器器件越来越追求高速度、高集成密度、低功耗等。通常，集成电路存储器由若干存储单元组成，各存储单元中通常包括晶体管，晶体管包括栅极、源极和漏极，栅极与字线连接，源极与位线连接，漏极与电容器的下电极连接。.其中，晶体管的栅极阻值尤为重要，栅极的阻值大小会对晶体管器件的最终性能产生较大的影响，进而影响到存储器整体的性能。.需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息...
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