技术编号：3176188
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非晶硅层的结晶方法，尤其涉及一种用于连续横向固化(sequential lateral solidification)非晶硅层的掩模及其结晶方法。背景技术 通常，根据硅的晶相将硅分为非晶硅(a-Si)和多晶硅(p-Si)。由于可以在低温状态下在一玻璃衬底上沉积非晶硅(a-Si)以形成一薄膜，所以一般将非晶硅(a-Si)用在采用玻璃衬底的液晶显示器(LCDs)的开关器件中。遗憾的是，非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFTs)的显示响应时间较慢，原因...
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