技术编号:31999823
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及一种场效应晶体管及其制备方法。背景技术.碳纳米管材料具有优异的电学性能,随着摩尔定律的发展,硅基器件在尺寸缩减的过程中短沟道效应接近物理极限,碳纳米管材料被认为是最有可能取代硅基的半导体材料之一。.此外,氧化铪基铁电薄膜的发现,引起了研究人员的广泛关注。氧化铪基铁电薄膜与硅基材料良好的兼容性,解决了传统铁电薄膜无法小型化的问题。铁电介质存储器相较于其他存储单元具有更长的存储时间,更高的读写速度,更低的功耗以及良好的抗辐照特性。如何将氧化铪基铁电薄膜引入场效应晶体管的性能,以提高...
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