技术编号:3201240
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种LED衬底的剥离方法,尤其涉及一种采用飞秒激光剥离LED衬底的方法。背景技术众所周知,LED晶圆是在蓝宝石或者碳化硅衬底上采用气相沉积的方法生长基于氮化镓系材料的发光有源层,目前普遍的LED晶圆尺寸为2英寸I英寸。LED行业的发展、LED价格的降低以及发光效率的提升,带动了 LED芯片的推广普及,从而也带动了应用于LED领域当中的各种技术。在目前的市场上,普遍流行的平面结构LED芯片(正负电极在基板同一侧)存在发 光面积小、电流拥挤效应等问题...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。