技术编号：3206826
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术半导体晶片，特别是硅晶片的热处理中，一般应用利用电炉的加热及快速热退火(RTA)等。应用RTA时的加热时间为毫秒级。近年来，加热时间短于Iu s的激光尖峰退火的应用也在推进中。加热时间短于I U s的激光尖峰退火中，由于加热时间较短，半导 体晶片的厚度方向上的温度梯度变得陡峭。因此，很难将较深区域加热成所希望的温度而不使半导体晶片的表面温度过度上升。另一方面，RTA中，由于加热时间较长，因此导致半导体晶片整体的温度上升。由于半导体晶...
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