技术编号:3210869
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳电池制作领域,是一种崭新的PN隔离技术,使用激光隔离代替传统的湿法刻蚀技术,是太阳电池生产技术的革新。背景技术在太阳电池生产工艺过程中,需要经过扩散POCl3制作PN结,扩散过程中,太阳电池的正面发射极通过边缘PN结与背面电场导通,需要隔离边缘PN结。传统的激光隔离在丝网印刷之后完成,容易造成粉尘污染和激光对准偏移;现在大部分厂家生产过程中使用的PN隔离技术为湿法刻蚀,是通过化学药液腐蚀达到PN隔离的效果,刻蚀边缘一般离硅片的边缘为广2_,容...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。