技术编号:32120439
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体激光器领域,具体为一种垂直腔面发射激光器。背景技术.垂直腔面发射激光器(vcsel)具有体积小、发散角小、光束质量高、成本低、易于二维集成等独特优势,近年来在半导体激光器领域引起了广泛的研究兴趣,并且也在应用端市场上迅速扩展,其中包括:d面部识别、激光医美、气体探测、智能家居、激光雷达等应用。.目前垂直腔面发射激光器的有源区主要由宽带隙的势垒层和窄带隙的势阱层交替生长组成。其中,宽带隙的势垒层对载流子起到明显的量子限制作用。然而,在大电流注入的情况下,随着有源区温度升高...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。