技术编号:32154413
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种适用于euv光刻的mo/si多层膜反射镜制备方法技术领域.本发明属于极深紫外(euv)光刻领域,特别提供了一种适用于euv光刻的mo/si多层膜反射镜的制备技术。具体来说,即是以直流磁控溅射技术制备mo/si多层膜,利用直流磁控溅射技术对溅射功率的精确控制实现单层薄膜厚度的调制,并通过磁控溅射腔体中mo和si源顶端的挡板连续切换控制来实现mo、si周期性交替生长。生长过程中通过时间来精确调控mo和si层的生长厚度,从而得到厚度精确、平均粗糙度低、高反射率、界面清晰的mo/si多层膜反射镜。...
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