技术编号:32198937
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及半导体技术领域,具体为一种氮化镓功率器件封装结构。背景技术.氮化镓是微波功率晶体管的优良材料,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照、抗高温、抗高压能力,是在电力控制电路和电源开关电路中必不可少的电子元器件,在氮化镓功率器件加工过程中需要对其进行封装。.但是现有的在使用时,存在以下缺陷:.现有的氮化镓功率器件封装结构,在生产加工时,不便于工作人员快速进行组装与拆卸,不便于...
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