技术编号：32307394
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于深紫外led的外延片及其制备方法、深紫外led技术领域.本发明涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种用于深紫外led的外延片及其制备方法、深紫外led。背景技术.目前常用的紫外led为algan基半导体材料。在其p型半导体层（p-algan层、p型接触层）中，由于掺杂元素（一般为mg）受主的激活能随着al组分增加而线性增大，使得其激活效率变低，低的空穴浓度使其很难形成p-型欧姆接触，降低了紫外led的发光效率。目前常用的方法是重掺杂，但是由于其掺杂浓度过高会导致p型algan层的晶体质量较...
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