技术编号：32312560
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及存储技术领域，特别涉及一种存储器的编程方法、存储器及存储系统。背景技术.三维(-dimension，d)存储器在编程时支持多面编程(multi-plane program)，即处于不同存储块的存储单元能够同步进行编程。.其中，编程过程通过步进式脉冲电压编程(increment step pulse program，ispp)方式实现，在ispp中的每个脉冲阶段施加一定脉冲宽度的编程电压进行编程，并在施加编程电压后通过验证电压进行验证。.然而，当多个存储块中存在被损坏的坏块...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
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