技术编号：32312751
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种面向选择性接触的叠层结构、电池正面结构及制备方法。背景技术.年，德国fraunhofer研究所首先提出隧穿氧化硅钝化接触结构(topcon)用于改善晶硅太阳能电池背面的钝化，提升电池性能。该结构使用n型硅片，于硅片背面制备纳米siox作为隧穿层，随后在siox上利用pecvd等方法沉积一层重掺杂多晶硅，最后背面制备全面积金属电极。由于多晶硅在短波长范围内会产生较强的寄生光吸收，该结构主要应用于电池背面。利用隧穿氧化层钝化接触结构制备的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。