技术编号：32348034
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种具有锗硅源漏区的pmos器件结构及其制作方法技术领域.本发明涉及半导体集成电路工艺技术领域，尤其涉及一种具有锗硅源漏区的pmos器件结构及其制作方法。背景技术.随着超大型集成电路尺寸的微缩化持续发展，电路元件的尺寸越来越小且操作的速度越来越快，如何改善电路元件的驱动电流显得日益重要。.嵌入式锗硅技术(esige)是一种用于提高pmos晶体管器件性能的应变硅技术，通过在pmos晶体管的源漏区以选择性外延方式形成锗硅(sige)应力层，能够提高沟道空穴的迁移率，从而提高pmos晶体管的电流...
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