技术编号:32351289
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种半导体器件及其制作方法。背景技术.在大多数先进半导体器件的制作过程中,由于金属钨具有极好的台阶覆盖和间隙填充能力以及良好的抗电迁移特性,因此广泛采用金属钨作为通孔或凹槽的填充材料。.现有技术中的钨填充工艺一般包括:在衬底上沉积氧化层;对氧化层进行刻蚀形成通孔;在通孔的侧壁与底部沉积扩散阻挡层;在通孔内沉积钨金属;对钨金属平坦化。.然而,在通孔内填充钨金属时,一般采用硅烷或硼烷与氢气、六氟化钨反应形成所述钨金属,由于反应气体都需要使用六氟化钨,因此...
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