技术编号:32351691
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底以及用于抑制位错引入氮化铝生长层的方法。背景技术.以往,在氮化铝衬底的制造方法中,通过在基底衬底上使半导体材料进行晶体生长(所谓的外延生长)来制造由期望的半导体材料制成的半导体衬底。.然而,在上述外延生长中,由于基底衬底具有的位错延续到生长层而向生长层引入位错是个问题。.在专利文献中公开了这样的发明:通过在作为基底衬底的一例的碳化硅(sic)衬底上设置槽部,进行沿与c轴方向正交的方向进行的晶体生长,抑制了存在于该sic衬底上并沿c轴方向传播的...
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