技术编号:32352031
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。基于iii族氮化物的晶体管器件背景技术.迄今为止,在功率电子应用中使用的晶体管典型地已经是利用硅(si)半导体材料制备的。用于功率应用的常见的晶体管器件包括si coolmos®、si功率mosfet和si绝缘栅双极晶体管(igbt)。最近,已经考虑了碳化硅(sic)功率器件。诸如氮化镓(gan)器件之类的iii族-n半导体器件现在正成为用以承载大电流、支持高电压和提供极低的导通电阻和快速开关时间的有吸引力的候选。.氮化镓器件对于用于通信系统的功率放大器而言也是有吸引力的候选。在效率和功率密...
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