技术编号:32400690
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种防止gan生长时n面分解的方法技术领域.本发明涉及半导体材料技术领域,尤其是涉及一种改善氮化镓外延生长,提高产品晶体质量的氮化镓生长方法。背景技术.氮化镓( gan) 材料是继第一代 ge、si 半导体材料和第二代 gaas、inp 化合物半导体材料之后的第三代新型半导体电子材料,具有大的宽能带隙,高的电子饱和迁移率,低的介电常数等优点,被广泛用于电力电子器件、微电子器件及光电子器件等领域。。gan 的极性可以用() ,ga 面 , c ,ga 极性或 ga 极面五个等价的名...
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