技术编号：32418909
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种高开关频率下的sic器件结温估算方法技术领域.本发明涉及半导体器件检测技术领域，尤其涉及一种高开关频率下的sic器件结温估算方法。背景技术.碳化硅(sic)材料具有诸多优异的特性，使得碳化硅的功率半导体器件，在大功率和高温应用环境中非常具有吸引力和应用前景。在高开关频率下，sic器件产生的热量很高，导致器件的芯片温度很高，将加速器件性能的退化，因此，快速、准确地测量sic器件在工高开关频率下的结温具有重要意义。.但是现有技术的sic器件结温估算方法所分析出来的数值与理论计算结果差异较大...
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