技术编号:32445297
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种半导体装置的制造方法以及半导体装置。背景技术.以往,作为半导体装置的场截止层,已知有具备多个杂质浓度峰的结构(例如,参照专利文献)。.专利文献:wo/号发明内容.技术问题.优选高精度地进行向半导体装置的掺杂。.技术方案.为了解决上述问题,在本发明的第一方式中,提供一种半导体装置的制造方法。制造方法可以具备如下注入工序:从半导体基板的注入面向第一注入位置注入第一导电型的第一掺杂剂,在注入第一掺杂剂后,从半导体基板的注入面向距注入面的距离比第一注入...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。